Saint-Louis, Missouri – 27 novembre 2025. SK hynix a dévoilé à l’édition 2025 de la conférence Supercomputing (SC25) une nouvelle génération de mémoires conçues pour répondre aux besoins croissants de l’intelligence artificielle et du calcul haute performance (HPC), affirmant ainsi son ambition de devenir un acteur majeur de cette révolution technologique.
- SK hynix a présenté ses dernières avancées en matière de mémoire HBM (High Bandwidth Memory) et eSSD (Enterprise Solid State Drive) lors de SC25.
- L’entreprise a mis en avant le HBM4 à 12 couches, offrant une bande passante significativement accrue et une meilleure efficacité énergétique.
- SK hynix a également exposé sa vision d’un stockage de nouvelle génération, axé sur l’optimisation de l’analyse des données dans les environnements HPC.
La conférence Supercomputing, qui s’est tenue du 16 au 21 novembre à Saint-Louis, est un événement annuel majeur rassemblant des experts de l’industrie, du monde académique et de la recherche pour échanger sur les dernières tendances en matière de HPC. Cette année, la convergence de l’IA et du HPC a été au cœur des discussions.
Sous le thème « Mémoire, alimenter l’IA et demain », SK hynix a présenté une gamme de solutions innovantes destinées à dominer les marchés de l’IA et du HPC, et a partagé sa vision technologique pour accélérer l’analyse des données dans les systèmes informatiques.
Des produits de pointe pour des performances accrues
Au cœur de son exposition, SK hynix a mis en avant ses produits phares, notamment les mémoires HBM1 et les solutions eSSD2. Les visiteurs ont pu découvrir des démonstrations concrètes de ces technologies dans des environnements d’IA et de HPC, illustrant ainsi la compétitivité de l’entreprise.
L’entreprise a notamment présenté le HBM4 à 12 couches, développé en première mondiale en septembre 2025. Ce nouveau standard offre 2 048 canaux d’entrée/sortie (E/S), doublant ainsi la capacité de la génération précédente et augmentant significativement la bande passante. SK hynix annonce également une amélioration de plus de 40 % de l’efficacité énergétique, faisant du HBM4 une solution idéale pour les systèmes d’IA ultra-performants.
Parallèlement, le HBM3E à 12 couches, actuellement la mémoire commercialisée la plus performante du marché, a été exposé aux côtés du GPU GB300 Grace™ Blackwell de nouvelle génération de NVIDIA.
Dans le domaine des DRAM, SK hynix a présenté une gamme de modules basés sur la norme DDR5 pour serveurs nouvelle génération, incluant des RDIMM3 et des MRDIMM4 fabriqués à l’aide de la technologie de traitement 10 nm de sixième génération (1c5). L’entreprise a également exposé des modules de 256 Go 3DS6 DDR5 RDIMM et 256 Go DDR5 Tall MRDIMM, offrant des vitesses plus rapides et une meilleure efficacité énergétique pour les serveurs et les centres de données.
Enfin, SK hynix a présenté une gamme d’eSSD haute capacité et haute performance, notamment les modèles PS1010 E3.S et PE9010 M.2 basés sur une NAND 4D à 176 couches, ainsi que le PEB110 E1.S construit sur une NAND à 238 couches. L’entreprise a également exposé le PS1012 U.2 basé sur la technologie QLC7 NAND, ainsi que le PS1101 E3.L de 245 To, utilisant la NAND QLC 321 couches la plus dense du secteur.
Une vision pour l’avenir du stockage
Au-delà de la présentation de ses produits, SK hynix a mis en avant sa vision d’un stockage de nouvelle génération, capable d’optimiser l’efficacité de l’analyse des données dans les environnements HPC. Lors d’une présentation, Soonyeal Yang, responsable technique de Solution SW, a présenté le concept d’OASIS (Object-based Analytics Storage for Intelligent SQL Query Offloading), un système de stockage de nouvelle génération basé sur un CSD sensible aux données11.
« Les inefficacités des canaux d’E/S lors de l’analyse des données basées sur HPC entraînent une dégradation des performances globales du système et une augmentation des coûts. OASIS répartirait de manière flexible ces charges de calcul et contribuerait grandement à l’optimisation du système. »
Soonyeal Yang, responsable technique de Solution SW, SK hynix
SK hynix a également démontré des solutions de nouvelle génération, notamment un système hétérogène basé sur la mémoire composé de modules CXL8 DDR5 (CMM-DDR5) et MRDIMM, développé en collaboration avec Montage Technology. L’entreprise a également présenté un accélérateur de module de mémoire CXL (CMM-Ax) intégrant des capacités de calcul et son potentiel d’intégration avec le moteur de recherche vectorielle de Meta, Faiss9, ainsi qu’une machine IA centrée sur la mémoire utilisant la mémoire mutualisée CXL10.
SK hynix a affirmé son engagement à continuer d’innover et de collaborer étroitement avec ses clients pour devenir un leader dans le domaine de la mémoire pour l’IA et le HPC.
Soonyeal Yang, responsable technique de Solution SW, fait une présentation
1Mémoire à large bande passante (HBM) : Un produit de mémoire de grande valeur et hautes performances qui interconnecte verticalement plusieurs puces DRAM pour augmenter la capacité et considérablement augmenter les vitesses de traitement des données. Il existe six générations de HBM, en commençant par le HBM original suivi par HBM2, HBM2E, HBM3, HBM3E et HBM4.
2Disque SSD d’entreprise (eSSD) : Un SSD de niveau entreprise utilisé dans les serveurs et les centres de données.
3Module de mémoire double en ligne enregistré (RDIMM) : Un produit de module de mémoire de serveur dans lequel plusieurs puces DRAM sont montées.
4Module de mémoire en ligne double à rang multiplexé (MRDIMM) : Un produit avec une vitesse améliorée en faisant fonctionner simultanément deux rangs – les unités opérationnelles de base du module.
51c : La technologie du procédé 10 nm a progressé sur six générations : 1x, 1y, 1z, 1a, 1b et 1c.
6Mémoire empilée 3D (3DS) : Une mémoire haute performance dans laquelle deux ou plusieurs puces DRAM sont interconnectées à l’aide de la technologie TSV.
7Cellule à quatre niveaux (QLC) : La mémoire flash NAND est classée en fonction du nombre de bits de données pouvant être stockés dans une cellule, la plus petite unité de stockage. Le flash NAND est classé en cellule à un seul niveau (SLC), cellule à plusieurs niveaux (MLC), cellule à trois niveaux (TLC), QLC et cellule à penta-niveau (PLC).
8Lien Calcul Express (CXL) : Une technologie d’interface qui connecte efficacement la mémoire, les processeurs et d’autres composants d’un système, repoussant les limites de la bande passante et de la capacité.
9Recherche de similarité Facebook AI (FAISS) : Un moteur de recherche vectorielle développé par Meta. Contrairement à la recherche traditionnelle basée sur des mots-clés, qui nécessite des commandes exactes, elle comprend la signification et le contexte des requêtes basées sur des vecteurs (représentations numériques de données telles que du texte ou des images) et renvoie des résultats très pertinents.
10Mémoire mutualisée CXL : Une technologie qui permet à plusieurs hôtes (CPU et GPU) de partager la capacité de mémoire et les données, améliorant ainsi l’efficacité.
11Lecteur de stockage informatique Data-Aware (Data-Aware CSD) : Un périphérique de stockage capable de reconnaître, d’analyser et de traiter les données de manière autonome.