Publié le 3 décembre 2025. Le fabricant allemand de semi-conducteurs Infineon Technologies a obtenu une décision préliminaire favorable de la Commission du commerce international (ITC) des États-Unis dans son litige de brevet contre Innoscience, concernant la technologie du nitrure de gallium (GaN). Cette décision pourrait entraîner l’interdiction d’importation aux États-Unis de certains produits d’Innoscience.
- L’ITC a constaté qu’Innoscience a violé un brevet d’Infineon relatif à la technologie GaN.
- La décision préliminaire confirme également la validité des brevets revendiqués par Infineon.
- Une décision finale est attendue le 2 avril 2026.
La Commission du commerce international (ITC) des États-Unis a rendu une décision préliminaire en faveur d’Infineon Technologies AG dans son différend avec Innoscience, portant sur l’utilisation non autorisée de sa technologie de nitrure de gallium (GaN). L’ITC a estimé qu’Innoscience avait effectivement enfreint un brevet détenu par Infineon, et a validé la légitimité des brevets en question dans le cadre de la procédure en cours.
Selon le Dr Johannes Schoiswohl, vice-président principal et responsable de la division GaN Systems chez Infineon, cette décision est une reconnaissance de la solidité de la propriété intellectuelle de l’entreprise.
« Cette décision est une preuve supplémentaire de la solidité de la propriété intellectuelle d’Infineon et confirme notre engagement à défendre systématiquement notre portefeuille de brevets contre toute violation et ainsi garantir une concurrence loyale sur le marché. »
Dr Johannes Schoiswohl, vice-président principal et responsable de la division GaN Systems chez Infineon
Il a ajouté qu’Infineon continuera à investir dans l’innovation et le développement de semi-conducteurs pour répondre aux défis contemporains, tels que la décarbonation et la transformation numérique.
Ce n’est pas la première victoire juridique pour Infineon dans ce dossier. En Allemagne, l’Office allemand des brevets et des marques a récemment confirmé la validité d’un autre brevet d’Infineon, avec quelques modifications mineures. Infineon poursuit actuellement une action en contrefaçon de ce brevet devant le tribunal régional de Munich I. En août 2024, ce même tribunal a déjà statué en faveur d’Infineon, jugeant qu’Innoscience avait violé un autre de ses brevets.
Infineon se positionne comme un leader sur le marché des dispositifs intégrés (IDM) en matière de technologie GaN, disposant du portefeuille de brevets le plus étendu du secteur, avec environ 450 familles de brevets. Le GaN est un matériau clé pour le développement de systèmes électriques performants et économes en énergie, trouvant des applications dans des domaines variés tels que les énergies renouvelables, les centres de données pour l’intelligence artificielle, l’automatisation industrielle et les véhicules électriques (VE). Grâce à ses propriétés, le GaN permet de concevoir des appareils plus compacts, de réduire la consommation d’énergie et la production de chaleur.
Infineon maîtrise les trois principaux matériaux utilisés dans les systèmes électriques : le silicium (Si), le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN).
[1] US 9 899 481
[2] US 9 899 481 et US 9 070 755
[3] DE102017100947
[4] DE102014113465
