Publié le 27 décembre 2025 à 06h12. SK Hynix aborde l’année 2026 avec un programme ambitieux, entre défis technologiques majeurs et investissements massifs pour consolider sa position sur le marché de la mémoire, de la DRAM aux puces NAND.
- Le développement de la DRAM 1d de septième génération s’annonce complexe, avec un rendement actuel de seulement 10 à 20 %.
- L’arrivée des machines d’exposition EUV à haute NA d’ASML, cruciales pour les futures générations de puces, est prévue pour le premier trimestre 2026.
- L’investissement dans la nouvelle usine M15X, dédiée à la DRAM HBM4, représente un enjeu majeur pour répondre à la demande croissante.
L’année 2026 s’annonce décisive pour SK Hynix. Le fabricant de mémoires sud-coréen doit relever plusieurs défis technologiques et logistiques pour maintenir son avance dans un secteur en constante évolution. Parmi les priorités figurent le développement de nouvelles générations de DRAM et de NAND, l’intégration de technologies de pointe comme l’EUV à haute NA, et l’augmentation de ses capacités de production.
Le développement de la DRAM 1d (10 nanomètres de septième génération) représente un obstacle technique important. Si l’objectif initial était de réduire la largeur des lignes des transistors, les difficultés rencontrées ont conduit à un ajustement des règles de conception au deuxième trimestre 2025. Le rendement actuel des plaquettes de DRAM 1d se situe entre 10 et 20 %, et l’achèvement du développement est visé pour le second semestre 2026. Samsung Electronics rencontrerait également des difficultés similaires.
Parallèlement, SK Hynix se prépare à l’arrivée des machines d’exposition EUV à haute NA d’ASML. Le deuxième appareil, « TwinScan EXE:5200B », est installé depuis septembre 2025 sur le site de production d’Icheon. Cette technologie ne concerne pas directement la DRAM 1d, mais elle est essentielle pour les futures générations de puces, notamment la DRAM verticale (VG·4F²DRAM) prévue pour 2027. L’entreprise prévoit d’introduire une dizaine de machines d’exposition EUV supplémentaires dans son usine en 2026, représentant un investissement de plusieurs milliards de wons (environ 300 milliards de wons par unité).
L’usine M15X, en cours de construction, est au cœur de l’investissement de SK Hynix en 2026. Elle sera principalement dédiée à la production de DRAM de cinquième génération (1b) de classe 10 nanomètres, destinées à la mémoire HBM4. La capacité de production visée est d’environ 90 000 plaquettes par mois, avec une ligne de production de 45 000 à 70 000 plaquettes par mois.
Une transition vers la DRAM de sixième génération (1c) est également prévue, avec une capacité de production mensuelle d’environ 140 000 unités, principalement sur les sites de M14 et M16. Cette production est destinée à alimenter les futures cartes graphiques Nvidia, notamment la Socam 2.
Le marché de la DRAM à faible consommation (LPDDR), utilisée notamment dans les smartphones, est actuellement confronté à une pénurie importante. Les fabricants d’appareils informatiques peinent à trouver des puces, ce qui entraîne une hausse des prix et, dans certains cas, une réduction des spécifications des appareils.
L’usine de Wuxi, en Chine, devrait se concentrer sur la production de DRAM plus anciennes (1z et 1a), en raison des restrictions réglementaires liées à l’accès aux technologies EUV. La conversion vers des processus plus avancés, comme la DRAM 1b, est jugée trop risquée en raison des coûts logistiques liés au transport des plaquettes vers la Corée pour les étapes de fabrication nécessitant l’EUV.
En ce qui concerne les puces NAND, SK Hynix prévoit de passer à la gamme de neuvième génération (V9) à 321 couches en 2026. L’entreprise compte convertir la moitié de ses lignes de production NAND vers cette nouvelle génération. La capacité de production actuelle de NAND de SK Hynix, hors filiale Solidigm, est d’environ 140 000 unités par mois, et l’objectif est d’atteindre une capacité de production V9 d’environ 70 000 unités par mois.
La demande de SSD d’entreprise (eSSD) équipés de NAND haute capacité est actuellement forte, ce qui permet à SK Hynix de fonctionner à pleine capacité. Les cellules à quatre niveaux (QLC) utilisées dans la gamme V9 sont particulièrement populaires. La filiale Solidigm est également compétitive dans le domaine des produits QLC, avec une transition vers une ligne NAND à 192 couches en cours dans ses usines chinoises.
SK Hynix travaille également sur la dixième génération (V10) de NAND, qui devrait se situer entre 300 et 400 couches. L’entreprise prévoit d’introduire pour la première fois un processus de liaison hybride dans cette nouvelle génération, afin de se différencier de ses concurrents, tels que Samsung Electronics, YMTC et Kioxia.
Enfin, SK Hynix développe des produits en collaboration avec Nvidia dans le cadre du projet « Storage Next », visant à modifier l’architecture des SSD des serveurs pour optimiser les performances des GPU et des accélérateurs d’IA. L’entreprise prévoit de publier un prototype de stockage prenant en charge environ 25 millions d’IOPS (opérations d’entrée/sortie par seconde) d’ici la fin de 2026, avec un objectif de 100 millions d’IOPS d’ici fin 2027. Elle travaille également sur un flash à large bande passante (HBF), une version NAND de la technologie HBM, en collaboration avec SanDisk, avec une version « alpha » prévue pour janvier 2026.
De nombreux défis attendent l’industrie de la mémoire en 2026. L’approche du cycle d’essor de la mémoire devrait attirer l’attention sur divers groupes de produits de mémoire.
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