Cette progression intervient alors qu’Apple et Micron s’opposent à Washington sur l’utilisation potentielle de composants chinois.
Ascension fulgurante de Yangtze Memory Technologies sur le marché de la NAND
La position de la Chine sur le marché mondial des semi-conducteurs évolue rapidement. Selon des données publiées en août par Counterpoint Research, Yangtze Memory Technologies s’est hissée au troisième rang mondial pour les livraisons de puces mémoire NAND au cours du deuxième trimestre.
Connue sous le nom de YMTC, l’entreprise chinoise a capté une part de marché de 14 pour cent. Elle se classe ainsi immédiatement derrière les géants sud-coréens Samsung et SK hynix, tout en surpassant le fabricant américain Micron et le japonais Kioxia.
Cette performance marque un tournant, même si les dynamiques de revenus diffèrent des volumes bruts expédiés. D’après le cabinet de recherche, YMTC se maintient à la cinquième place en matière de chiffre d’affaires, devancée par Micron et Kioxia, car son catalogue reste principalement orienté vers les applications grand public plutôt que vers les centres de données.
Bataille de lobbying à Washington entre Apple et Micron
Cette percée industrielle se double d’une âpre confrontation politique aux États-Unis. Apple cherche à convaincre l’administration Trump d’autoriser l’utilisation de composants fournis par YMTC et ChangXin Memory Technologies dans ses appareils vendus en dehors du marché américain.
Ces démarches se heurtent à une opposition farouche de Micron. Le fabricant américain affirme que l’intégration de fournisseurs chinois lourdement subventionnés menacerait l’industrie nationale des semi-conducteurs et reproduirait la vulnérabilité observée par le passé dans d’autres secteurs manufacturiers.
Ces clients, qualifiés de très agressifs sur les prix durant le ralentissement du marché en 2023, ont selon l’entreprise découragé de nouveaux investissements dans les capacités de production, contribuant aux tensions actuelles sur l’approvisionnement.
Innovations technologiques et pressions sur les infrastructures d’intelligence artificielle
Pendant que les débats politiques se poursuivent aux États-Unis, la course technologique s’accélère sur d’autres fronts. Kioxia et Sandisk ont présenté leur technologie de mémoire flash 3D Quad-Level-Cell de dixième génération lors d’une conférence spécialisée, affichant une densité de bits supérieure à 37 Gb/mm² et une architecture à 332 couches.
Les responsables techniques des deux entreprises soulignent que ces innovations répondent directement aux besoins croissants en matière d’alimentation et de refroidissement pour les infrastructures d’intelligence artificielle et de cloud.
Alper Ilkbahar, directeur technique de Sandisk, a indiqué que, face à la croissance sans précédent de la production de données générée par l’entraînement, l’inférence et les charges de travail des centres de données hyperscale liées à l’IA, le secteur du stockage est soumis à une pression toujours plus forte pour offrir une capacité accrue, des performances supérieures et une efficacité énergétique améliorée.
Les marchés globaux reflètent ces tensions et ces opportunités. Les segments de la mémoire DRAM et NAND ont atteint des ventes record de près de 100 milliards de dollars et 46 milliards de dollars respectivement au premier trimestre, tandis que l’action de Micron a connu d’importantes fluctuations sur les marchés boursiers.